Mô Đun Bsm15Gp120 Infineon -Cty Thiết Bị Điện Số 1

Mô đun BSM15GP120 Infineon

Thông số kỹ thuật:

Nhà chế tạo: Infineon

Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT

Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT

Cấu hình:Lục giác

Điện áp Collector- Emitter VCEO Max: 1,2 kV

Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 2,2 V

Dòng thu liên tục ở 25 C: 35 A

Dòng điện rò rỉ cổng-Emitter: 300 nA

Pd - Tản điện: 180 W

Gói/Trường hợp: Kinh tếPIM2

Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C

Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 125 C

Bao bì: Cái mâm

Thương hiệu: Công nghệ Infineon

Chiều cao: 17 mm

Chiều dài: 107,5mm

Điện áp bộ phát cổng tối đa: 20 V

Kiểu lắp: Khung gầm

Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT

Để được tư vấn và hỗ trợ liên hệ ngay:

CÔNG TY TNHH KỸ THUẬT THIẾT BỊ ĐIỆN SỐ 1

VP: 1358/28/14A Quang Trung, Phường 14, Quận Gò Vấp, TP. Hồ Chí Minh

Ms.Ly: 0896 461 782 (zalo)

Email: sales01@thietbidienso1.com

Web: thietbidienso1.com